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  • 型号: BC63916_D27Z
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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BC63916_D27Z产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR NPN 80V 1A TO-92两极晶体管 - BJT NPN Transistor Medium Power

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor BC63916_D27Z-

数据手册

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产品型号

BC63916_D27Z

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

500mV @ 50mA,500mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 150mA,2V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

TO-92-3

其它名称

BC63916_D27ZCT

功率-最大值

1W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

55 mg

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

Fairchild Semiconductor

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Reel

封装/外壳

TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线

封装/箱体

TO-92-3 Kinked Lead

工厂包装数量

2000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

1 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

1 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

80V

电流-集电极(Ic)(最大值)

1A

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

直流电流增益hFE最大值

160

直流集电极/BaseGainhfeMin

40

系列

BC63916

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

100 V

集电极—射极饱和电压

0.5 V

集电极连续电流

1 A

频率-跃迁

100MHz

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