ICGOO在线商城 > B32678G4356K
图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： B32678G4356K
- 制造商： EPCOS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
B32678G4356K产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供B32678G4356K由EPCOS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供B32678G4356K价格参考以及EPCOSB32678G4356K封装/规格参数等产品信息。 你可以下载B32678G4356K参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有B32678G4356K详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | CAP FILM 35UF 450VDC RADIAL薄膜电容器 35uF 450volts 10% 4 Pin 52.5mmL/S |
| ESR | 1.4 mOhms |
| ESR（等效串联电阻） | - |
| 产品分类 | |
| 品牌 | EPCOS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 薄膜电容器,EPCOS B32678G4356KB32678 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | B32678G4356K |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 产品 | DC Link Film Capacitors |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=7588 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | |
| 介电材料 | 聚丙烯（PP）， 金属化 |
| 其它名称 | 495-3011 |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | EPCOS |
| 外壳宽度 | 35 mm |
| 外壳长度 | 57.5 mm |
| 外壳高度 | 50 mm |
| 大小/尺寸 | 2.264" 长 x 1.378" 宽（57.50mm x 35.00mm） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | 10 % |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | 径向 |
| 工作温度 | -40°C ~ 105°C |
| 工厂包装数量 | 28 |
| 应用 | 高脉冲，DV/DT |
| 引线间距 | 2.067"（52.50mm） |
| 引线间隔 | 52.5 mm |
| 标准包装 | 27 |
| 特性 | - |
| 电介质 | Polypropylene (PP) |
| 电压额定值AC | 275 V |
| 电压额定值DC | 450 V |
| 电容 | 35 uF |
| 端接 | PC 引脚 |
| 端接类型 | Radial |
| 类型 | Film Capacitors |
| 系列 | B32678 |
| 零件号别名 | B32678G4356K000 |
| 额定电压-AC | 275V |
| 额定电压-DC | 450V |
| 高度-安装（最大值） | 1.969"（50.00mm） |
- 商务部:美国ITC正式对集成电路等产品启动337调查
- 曝三星4nm工艺存在良率问题 高通将骁龙8 Gen1或转产台积电
- 太阳诱电将投资9.5亿元在常州建新厂生产MLCC 预计2023年完工
- 英特尔发布欧洲新工厂建设计划 深化IDM 2.0 战略
- 台积电先进制程称霸业界 有大客户加持明年业绩稳了
- 达到5530亿美元！SIA预计今年全球半导体销售额将创下新高
- 英特尔拟将自动驾驶子公司Mobileye上市 估值或超500亿美元
- 三星加码芯片和SET，合并消费电子和移动部门，撤换高东真等 CEO
- 三星电子宣布重大人事变动 还合并消费电子和移动部门
- 海关总署：前11个月进口集成电路产品价值2.52万亿元 增长14.8%
