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AT-32063-TR1G产品简介:
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | IC TRANS NPN BIPOLAR SOT363射频双极晶体管 Transistor Si Low Current |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | Avago Technologies |
| 产品手册 | http://www.avagotech.com/pages/en/rf_microwave/transistors/silicon_bipolar/at-32063/ |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Avago Technologies AT-32063-TR1G- |
| 数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-1456EN |
| 产品型号 | AT-32063-TR1G |
| PCN组件/产地 | http://www.avagotech.com/docs/V11-024-480035-0B |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 50 @ 5mA,2.7V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | 516-1567-2 |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 功率耗散 | 150 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 1.5 V |
| 商标 | Avago Technologies |
| 噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz |
| 增益 | 12.5dB ~ 14.5dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 30000 MHz |
| 最大直流电集电极电流 | 0.032 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 5.5V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 32mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 50 at 5 mA at 2.7 V |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 5.5 V |
| 集电极连续电流 | 32 mA |
| 频率 | 30000 MHz |
| 频率-跃迁 | - |