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  • 型号: 1N5362BRLG
  • 制造商: ON Semiconductor
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1N5362BRLG产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供1N5362BRLG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5362BRLG价格参考。ON Semiconductor1N5362BRLG封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 28V 5W ±5% Through Hole Axial。您可以下载1N5362BRLG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5362BRLG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

1N5362BRLG 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的单齐纳二极管,属于 1N5362 系列。它具有 1W 的功率耗散能力,齐纳电压为 6.8V(典型值),并且采用了 DO-41 封装形式。以下是该型号的一些典型应用场景:

 1. 电压稳压
   - 1N5362BRLG 常用于电路中的电压稳压功能。例如,在电源电路中,它可以将输出电压稳定在 6.8V 左右,确保后级电路的供电稳定性。
   - 适用于低功耗设备或需要简单稳压的场合,如传感器供电、小型电子模块等。

 2. 过压保护
   - 在电路设计中,齐纳二极管可以用作过压保护元件。当输入电压超过设定的齐纳电压时,二极管会导通并将多余的电压泄放到地,从而保护后续电路免受过高电压的损害。
   - 例如,在信号传输线路中,可以使用 1N5362BRLG 来防止瞬态高压对敏感器件的损坏。

 3. 参考电压源
   - 齐纳二极管可以作为稳定的参考电压源,用于精密电路中。例如,在模拟电路中,1N5362BRLG 可以为比较器、运放或其他电路提供一个稳定的 6.8V 基准电压。

 4. 信号箝位
   - 在信号处理电路中,齐纳二极管可以用来箝位信号电压。通过限制信号的最大或最小值,避免信号超出允许范围。
   - 例如,在音频电路或数据通信线路中,1N5362BRLG 可以用来保护信号不受过大的电压波动影响。

 5. 浪涌抑制
   - 在某些工业应用中,齐纳二极管可以用来抑制电感负载(如继电器、电机)断开时产生的反向电动势(浪涌电压)。通过将这些高电压箝位到安全范围内,保护电路中的其他元件。

 6. 电池充电保护
   - 在简单的电池充电电路中,齐纳二极管可以用来监控和限制充电电压。例如,当充电电压接近电池额定电压时,齐纳二极管可以帮助维持稳定的充电状态。

 总结
1N5362BRLG 主要应用于需要简单电压稳压、过压保护、参考电压源和信号箝位的场景。由于其齐纳电压为 6.8V,适合在低压系统中使用,例如消费电子产品、工业控制设备、传感器接口以及通信电路等。同时,它的功率耗散能力为 1W,能够应对一定的电流需求,但不适合高功率或高精度的应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 28V 5W AXIAL稳压二极管 28V 5W

产品分类

单二极管/齐纳分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor 1N5362BRLG-

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产品型号

1N5362BRLG

PCN设计/规格

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不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 1A

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 21.2V

产品目录页面

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产品种类

稳压二极管

供应商器件封装

轴向

其它名称

1N5362BRLGOSTR

功率-最大值

5W

功率耗散

5 W

包装

带卷 (TR)

商标

ON Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

容差

±5%

封装

Reel

封装/外壳

T-18,轴向

封装/箱体

DO-35

工作温度

-65°C ~ 200°C

工厂包装数量

4000

最大反向漏泄电流

500 nA

最大工作温度

+ 200 C

最大齐纳阻抗

6 Ohms

最小工作温度

- 65 C

标准包装

4,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

28V

电压容差

5 %

电压调节准确度

600 mV

系列

1N53

配置

Single

阻抗(最大值)(Zzt)

6 欧姆

齐纳电压

28 V

齐纳电流

170 mA

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