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  • 型号: 1N5359B/TR12
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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1N5359B/TR12产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供1N5359B/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5359B/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5359B/TR12封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 24V 5W ±5% Through Hole T-18。您可以下载1N5359B/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5359B/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

1N5359B/TR12 是由 Microsemi Corporation(现为 Microchip Technology)生产的齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。其主要应用场景包括:

 1. 电压稳压
   - 1N5359B/TR12 的齐纳击穿电压为 7.5V,适用于需要稳定电压的电路。例如,在电源电路中,它可以用于将输出电压稳定在 7.5V 左右,确保负载设备的正常工作。

 2. 过压保护
   - 在敏感电子设备中,该齐纳二极管可用于防止输入电压过高。当输入电压超过齐纳电压时,二极管导通并将多余能量释放到地线,从而保护后续电路。

 3. 信号电平调整
   - 在信号处理电路中,1N5359B/TR12 可用于限制信号幅值。例如,在音频或通信电路中,它可以将输入信号的峰值限制在 7.5V 范围内,避免信号失真或损坏后续放大器。

 4. 参考电压源
   - 由于齐纳二极管具有稳定的击穿电压特性,1N5359B/TR12 可用作简单且低成本的参考电压源。例如,在模拟电路或比较器电路中提供基准电压。

 5. 浪涌抑制
   - 在电力电子系统中,该齐纳二极管可以用来吸收瞬态电压浪涌。例如,在开关电源或电机驱动电路中,它能够保护电路免受瞬间高压冲击。

 6. 温度补偿电路
   - 结合其他元件(如电阻或晶体管),1N5359B/TR12 可用于设计温度补偿电路,以抵消某些元件因温度变化引起的性能漂移。

 总结
1N5359B/TR12 的典型应用场景集中在电压稳压、过压保护、信号调整和参考电压生成等领域。由于其额定功率为 5W,适合中等功率的应用场合,同时具备良好的稳定性和可靠性,广泛应用于工业、消费电子和通信领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 24V 5W T-18

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

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产品图片

产品型号

1N5359B/TR12

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 1A

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 17.3V

供应商器件封装

T-18

其它名称

1N5359BMSCT
1N5359BMSCT-ND

功率-最大值

5W

包装

剪切带 (CT)

安装类型

通孔

容差

±5%

封装/外壳

T-18,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

1

电压-齐纳(标称值)(Vz)

24V

阻抗(最大值)(Zzt)

3.5 欧姆

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