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Datasheet下载- 型号： 1N483B
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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1N483B产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1N483B由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N483B价格参考￥0.12-￥0.65。Fairchild Semiconductor1N483B封装/规格：二极管 - 整流器 - 单， 二极管 。您可以下载1N483B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1N483B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
1N483B是由Microsemi Corporation制造的一款二极管，属于二极管 - 整流器 - 单类别。它主要用于低功率电路中的整流和开关应用。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源整流 - 1N483B可以用于将交流电（AC）转换为直流电（DC）的简单整流电路中。例如，在小型电子设备的电源适配器或电池充电器中，它可以作为半波或全波整流器的一部分，确保电流单向流动。 2. 信号保护 - 在信号传输线路中，1N483B可以用作反向电压保护二极管，防止因误接或异常情况导致的反向电流损坏敏感电子元件。 - 它还可以用作瞬态电压抑制器，保护电路免受电压尖峰的影响。 3. 开关应用 - 由于其快速响应特性和较低的正向压降，1N483B适用于需要高频开关操作的小功率电路。例如，在音频设备、通信设备或其他低功耗系统中，它可以用来切换信号路径。 4. 钳位电路 - 在某些模拟或数字电路中，1N483B可以用作电压钳位二极管，限制输出电压在特定范围内，从而保护后级电路不被过高或过低的电压损坏。 5. 续流二极管 - 在包含感性负载（如继电器、电机或变压器）的电路中，1N483B可以用作续流二极管，吸收感性负载断开时产生的反电动势，避免对其他元件造成损害。 6. 脉冲整流 - 在一些脉冲信号处理电路中，1N483B可以用来提取信号的正向或负向部分，实现简单的信号分离或整形功能。 注意事项： - 1N483B的额定参数包括：最大反向电压（VRRM）为50V，正向电流（IF）为1A，因此它适合应用于低压、小电流场景。 - 在实际使用中，需根据具体电路需求选择合适的散热措施，以确保其工作在安全范围内。 总结来说，1N483B是一款通用性强、可靠性高的整流二极管，广泛应用于各种低功率电子设备中，提供整流、保护和开关等功能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE SMALL SIGNAL 80V 0.2A DO35二极管 - 通用，功率，开关 Single Junction 80V Low Leakage |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,二极管 - 通用，功率，开关,Fairchild Semiconductor 1N483B- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 1N483B |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1V @ 100mA |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 25nA @ 60V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 产品种类 | 二极管 - 通用，功率，开关 |
| 供应商器件封装 | DO-35 |
| 包装 | 散装 |
| 单位重量 | 126 mg |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 封装/箱体 | DO-35 |
| 峰值反向电压 | 80 V |
| 工作温度-结 | 175°C （最大） |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 最大反向漏泄电流 | 0.025 uA |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大浪涌电流 | 4 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 2,000 |
| 正向电压下降 | 1 V at 0.1 A |
| 正向连续电流 | 0.2 A |
| 热阻 | 300°C/W Ja |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 80V |
| 电流-平均整流(Io) | 200mA |
| 系列 | 1N483B |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 配置 | Single |
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TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com SWITCHING DIODE – METALLURGICALLY BONDED – HERMETICALLY SEALED – DOUBLE PLUG CONSTRUCTION Qualified per MIL-PRF-19500/118 DEVICES QUALIFIED LEVELS 1N483B JAN JANTX JANTXV MAXIMUM RATING AT 25°C Operating Temperature: -65°C to +175°C .018" - .022" .46mm - .56mm Storage Temperature: -65°C to +175°C Surge Current, sine, 8.3mS: 2A Total Power Dissipation, 25°C: 500mW Max. Operating Current, 25°C: 200mA D.C. Reverse Voltage (VRWM): 70V 1.00" - 1.50" 25.4mm – 38.1mm DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS .140" - .180" 3.56mm – 4.57mm V I F R Ambient I Min Max Ambient Min Max F (°C) mA V V (°C) V (dc) µA µA 25 100 0.8 1.0 25 70 - 0.025 -55 100 - 1.2 25 80 - 1.0 .056" - .075" 150 70 - 5.0 1.42mm – 1.9mm DESIGN DATA Case: Hermetically sealed glass package per MIL-PRF-19500/118 DO-35 outline Lead Material: Copper clad steel Lead Finish: Tin / Lead Thermal Impedance (Z ): 70°C/W maximum θJX Polarity: Cathode end is banded LDS-0028 Rev. 1 (072072) Page 1 of 1
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