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1N1190R产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N1190R由GeneSiC Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N1190R价格参考。GeneSiC Semiconductor1N1190R封装/规格:二极管 - 整流器 - 单, Diode Standard, Reverse Polarity 600V 35A Chassis, Stud Mount DO-5。您可以下载1N1190R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N1190R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
GeneSiC Semiconductor 的 1N1190R 是一款高性能硅肖特基势垒二极管,属于整流二极管中的单二极管类别。该器件具有低正向压降、高开关速度和优良的热稳定性,适用于对效率和可靠性要求较高的电力电子系统。 其典型应用场景包括:开关电源(SMPS),用于AC-DC和DC-DC转换器中的高频整流,可有效降低功耗并提升能效;消费类电子产品如笔记本电脑、显示器和适配器的电源模块;光伏(太阳能)逆变器中的旁路与防反接保护,提高系统在恶劣环境下的稳定性;工业电机驱动和UPS(不间断电源)系统中的续流与箝位电路,确保功率器件安全运行;此外,也广泛用于照明电源(如LED驱动电源)和汽车电子中的辅助电源系统。 1N1190R具备良好的抗浪涌能力和高温工作性能,适合在紧凑型高密度电源设计中替代传统快恢复二极管,从而减少散热需求并提升整体系统效率。由于其优异的动态特性,特别适用于高频工作环境,有助于减小磁性元件体积,实现电源小型化。总体而言,1N1190R是一款适用于多种中低功率整流应用的可靠、高效解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE GEN PURPOSE 600V 35A DO5整流器 600V 35A REV Leads Std. Recovery |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | GeneSiC Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,整流器,GeneSiC Semiconductor 1N1190R- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 1N1190R |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 35A |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10µA @ 50V |
| 二极管类型 | 标准型, 反极性 |
| 产品 | Standard Recovery Rectifiers |
| 产品种类 | 整流器 |
| 供应商器件封装 | DO-5 |
| 其它名称 | 1242-1030 |
| 包装 | 散装 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 反向电压 | 600 V |
| 反向电流IR | 10 uA |
| 商标 | GeneSiC Semiconductor |
| 安装类型 | 底座,接线柱安装 |
| 安装风格 | Stud |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | DO-203AB,DO-5,接线柱 |
| 封装/箱体 | DO-5 |
| 工作温度-结 | -65°C ~ 190°C |
| 工厂包装数量 | 5 |
| 最大浪涌电流 | 595 A |
| 标准包装 | 5 |
| 正向电压下降 | 1.1 V |
| 正向连续电流 | 35 A |
| 热阻 | 0.25°C/W Jc |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 600V |
| 电流-平均整流(Io) | 35A |
| 系列 | 1N1190 |
| 速度 | 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) |