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  • 型号: 1N1186AR
  • 制造商: GeneSiC Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品参数

参数 数值
产品目录 分立半导体产品半导体
描述 DIODE GEN PURPOSE 200V 40A DO5整流器 200V 40A REV Leads Std. Recovery
产品分类 单二极管/整流器分离式半导体
品牌 GeneSiC Semiconductor
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产品图片
rohs 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列 二极管与整流器,整流器,GeneSiC Semiconductor 1N1186AR-
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产品型号 1N1186AR
不同If时的电压-正向(Vf) 1.1V @ 40A
不同 Vr、F时的电容 -
不同 Vr时的电流-反向漏电流 10µA @ 50V
二极管类型 标准型, 反极性
产品 Standard Recovery Rectifiers
产品种类 整流器
供应商器件封装 DO-5
其它名称 1242-1110
包装 散装
反向恢复时间(trr) -
反向电压 200 V
反向电流IR 10 uA
商标 GeneSiC Semiconductor
安装类型 底座,接线柱安装
安装风格 Stud
封装 Bulk
封装/外壳 DO-203AB,DO-5,接线柱
封装/箱体 DO-5
工作温度-结 -65°C ~ 190°C
工厂包装数量 5
最大浪涌电流 800 A
标准包装 5
正向电压下降 1.1 V
正向连续电流 40 A
热阻 0.25°C/W Jc
电压-DC反向(Vr)(最大值) 200V
电流-平均整流(Io) 40A
系列 1N1186
速度 -

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1N1183A thru 1N1190AR Silicon Standard V = 50 V - 600 V RRM Recovery Diode I = 40 A F Features • High Surge Capability DO-5 Package • Types up to 600 V V RRM • Not ESD Sensitive A C Note: 1. Standard polarity: Stud is cathode. 2. Reverse polarity (R): Stud is anode. 3. Stud is base. C A Stud Stud (R) Maximum ratings, at T = 25 °C, unless otherwise specified j Parameter Symbol Conditions 1N1183A(R) 1N1184A(R) 1N1186A(R) 1N1188A(R) 1N1190A(R) Unit Repetitive peak reverse V 50 100 200 400 600 V voltage RRM RMS reverse voltage V 35 70 140 280 420 V RMS DC blocking voltage V 50 100 200 400 600 V DC Continuous forward current I T ≤ 150 °C 40 40 40 40 40 A F C Surge non-repetitive forward I T = 25 °C, t = 8.3 ms 800 800 800 800 800 A current, Half Sine Wave F,SM C p Operating temperature T -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 °C j Storage temperature T -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 °C stg Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified Parameter Symbol Conditions 1N1183A(R) 1N1184A(R) 1N1186A(R) 1N1188A(R) 1N1190A(R) Unit Diode forward voltage V I = 40 A, T = 25 °C 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 V F F j V = 50 V, T = 25 °C 10 10 10 10 10 μA Reverse current I R j R V = 50 V, T = 140 °C 15 15 15 15 15 mA R j Thermal characteristics Thermal resistance, junction - R 1.25 1.25 1.25 1.25 1.25 °C/W case thJC 1 Oct. 2018 http://www.diodemodule.com/silicon_products/studs/1n1183a.pdf DO- 5 (DO-203AB) M J K P D B G N C F E A A C C A Stud Stud (R) Inches Millimeters Min Max Min Max A 1/4 –28 UNF B 0.669 0.687 17.19 17.44 C ----- 0.794 ----- 20.16 D ----- 1.020 ----- 25.91 E 0.422 0.453 10.72 11.50 F 0.115 0.200 2.93 5.08 G ----- 0.460 ----- 11.68 J ----- 0.280 ----- 7.00 K 0.236 ----- 6.00 ----- M ----- 0.589 ----- 14.96 N ----- 0.063 ----- 1.60 P 0.140 0.175 3.56 4.45

A C C A Stud Stud (R) 1N1183A thru 1N1190AR 2 Oct. 2018 http://www.diodemodule.com/silicon_products/studs/1n1183a.pdf DO- 5 (DO-203AB) M J K P D B G N C F E A A C C A Stud Stud (R) Inches Millimeters Min Max Min Max A 1/4 –28 UNF B 0.669 0.687 17.19 17.44 C ----- 0.794 ----- 20.16 D ----- 1.020 ----- 25.91 E 0.422 0.453 10.72 11.50 F 0.115 0.200 2.93 5.08 G ----- 0.460 ----- 11.68 J ----- 0.280 ----- 7.00 K 0.236 ----- 6.00 ----- M ----- 0.589 ----- 14.96 N ----- 0.063 ----- 1.60 P 0.140 0.175 3.56 4.45

A C C A Stud Stud (R) 1N1183A thru 1N1190AR Package dimensions and terminal configuration Product is marked with part number and terminal configuration. DO- 5 (DO-203AB) M J K P D B G N C F E A A C C A Stud Stud (R) Inches Millimeters Min Max Min Max A 1/4 –28 UNF B 0.669 0.687 17.19 17.44 C ----- 0.794 ----- 20.16 D ----- 1.020 ----- 25.91 E 0.422 0.453 10.72 11.50 F 0.115 0.200 2.93 5.08 G ----- 0.460 ----- 11.68 J ----- 0.280 ----- 7.00 K 0.236 ----- 6.00 ----- M ----- 0.589 ----- 14.96 N ----- 0.063 ----- 1.60 P 0.140 0.175 3.56 4.45 3 Oct. 2018 http://www.diodemodule.com/silicon_products/studs/1n1183a.pdf