企业简介
VBsemi成立于2003年，是一家集MOSFET晶圆开发设计、封装测试、销售服务、技术支持、为一体的功率半导体组件制造商。本公司已取得多项产品发明专利，并经ISO14001、QS9000、ISO9001认证。 本公司产品已被广泛应用于UPS、Power Inverter、CCFL、DC Fan、SMPS、Adapter、Lighting、Battery、DC-DC、LCD Monitor等领域。
主营产品
MOSFET、IGBT模块、LDO稳压器、CoolMOS应用领域
None产品列表 当前数据（8307）
分类选择： 全部 场效应管(MOSFET)
| 型号 | 制造商 | 库存|库位 | 描述 | 订货规则 | 数量阶梯 香港交货 大陆交货 | 数量 | 货期(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
1N60L-TM3-T-VB
|
VBsemi(微碧半导体) |
20000
|
TO251，N—Channel沟道,650V；2A；RDS(ON)=4Ω@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
TO251，N—Channel沟道,650V；2A；RDS(ON)=4Ω@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
封装：TO-251
|
最小起订量：10
倍数：1 |
10+
￥🚳🚻🚷🚵🚱🚴
|
大陆：6-8 |
|
|
|
2SK1717-VB
|
VBsemi(微碧半导体) |
20000
|
N沟道,60V,6.7A,88mΩ@10V
N沟道,60V,6.7A,88mΩ@10V
封装：SOT-89-3
|
最小起订量：10
倍数：1 |
10+
￥🚲🚻🚸🚱🚴🚸
|
大陆：6-8 |
|
|
|
IRFR320TRPBF-VB
|
VBsemi(微碧半导体) |
20000
|
N沟道,650V,4.5A,1.8Ω@10V
N沟道,650V,4.5A,1.8Ω@10V
封装：TO252
|
最小起订量：10
倍数：1 |
10+
￥🚳🚻🚷🚵🚱🚴
|
大陆：6-8 |
|
|
|
STD2HNK60Z-VB
|
VBsemi(微碧半导体) |
20000
|
N沟道,650V,2A,3.8Ω@10V
N沟道,650V,2A,3.8Ω@10V
封装：TO252
|
最小起订量：10
倍数：1 |
10+
￥🚳🚻🚷🚵🚱🚴
|
大陆：6-8 |
|
|
|
2N65-VB
|
VBsemi(微碧半导体) |
20000
|
N沟道,650V,2A,3.8Ω@10V
N沟道,650V,2A,3.8Ω@10V
封装：TO-252
|
最小起订量：10
倍数：1 |
|
大陆：6-8 | ||
|
2SK1591-T1B-A-VB
|
VBsemi(微碧半导体) |
20000
|
N沟道,100V,0.26A ,2.8Ω@10V
N沟道,100V,0.26A ,2.8Ω@10V
封装：SOT-23-3
|
最小起订量：10
倍数：1 |
|
大陆：6-8 | ||
|
2SK1623-VB
|
VBsemi(微碧半导体) |
20000
|
N沟道,100V,40A,30mΩ@10V
N沟道,100V,40A,30mΩ@10V
封装：TO-252
|
最小起订量：10
倍数：1 |
|
大陆：6-8 | ||
|
2SK2158-T1B-A-VB
|
VBsemi(微碧半导体) |
20000
|
N沟道,60V,0.25A,2.8Ω@10V
N沟道,60V,0.25A,2.8Ω@10V
封装：SOT-23-3
|
最小起订量：10
倍数：1 |
|
大陆：6-8 | ||
|
2SK2715-VB
|
VBsemi(微碧半导体) |
20000
|
N沟道,650V,4.5A,1.8Ω@10V
N沟道,650V,4.5A,1.8Ω@10V
封装：TO-252
|
最小起订量：10
倍数：1 |
|
大陆：6-8 | ||
|
4N60 TO252-VB
|
VBsemi(微碧半导体) |
20000
|
N沟道,650V,4.5A,1.8Ω@10V
N沟道,650V,4.5A,1.8Ω@10V
封装：TO252
|
最小起订量：10
倍数：1 |
|
大陆：6-8 | ||
|
4N60-VB
|
VBsemi(微碧半导体) |
20000
|
N沟道,650V,4.5A,1.7Ω@10V
N沟道,650V,4.5A,1.7Ω@10V
封装：TO220
|
最小起订量：10
倍数：1 |
|
大陆：6-8 | ||
|
4N65 TO220-VB
|
VBsemi(微碧半导体) |
20000
|
N沟道,650V,4.5A,1.7Ω@10V
N沟道,650V,4.5A,1.7Ω@10V
封装：TO220
|
最小起订量：10
倍数：1 |
|
大陆：6-8 | ||
|
7N60-VB
|
VBsemi(微碧半导体) |
20000
|
N沟道,650V,10A,0.86Ω@10V
N沟道,650V,10A,0.86Ω@10V
封装：TO-220AB
|
最小起订量：10
倍数：1 |
|
大陆：6-8 | ||
|
AOT13N50-VB
|
VBsemi(微碧半导体) |
20000
|
N沟道,650V,18A,0.34Ω@10V
N沟道,650V,18A,0.34Ω@10V
封装：TO-220AB
|
最小起订量：10
倍数：1 |
|
大陆：6-8 | ||
|
BUK438-500B-VB
|
VBsemi(微碧半导体) |
20000
|
N沟道,650V,18A,0.34Ω@10V
N沟道,650V,18A,0.34Ω@10V
封装：TO220
|
最小起订量：10
倍数：1 |
|
大陆：6-8 | ||
|
FQD2N60CTM-VB
|
VBsemi(微碧半导体) |
20000
|
N沟道,650V,2A,3.8Ω@10V
N沟道,650V,2A,3.8Ω@10V
封装：TO252
|
最小起订量：10
倍数：1 |
|
大陆：6-8 | ||
|
IRFRC20TRL-VB
|
VBsemi(微碧半导体) |
20000
|
N沟道,650V,2A,3.8Ω@10V
N沟道,650V,2A,3.8Ω@10V
封装：TO252
|
最小起订量：10
倍数：1 |
|
大陆：6-8 | ||
|
K3067-VB
|
VBsemi(微碧半导体) |
20000
|
N沟道,650V,2A,4Ω@10V
N沟道,650V,2A,4Ω@10V
封装：TO220F
|
最小起订量：10
倍数：1 |
|
大陆：6-8 | ||
|
K3767-VB
|
VBsemi(微碧半导体) |
20000
|
N沟道,650V,2A,4Ω@10V
N沟道,650V,2A,4Ω@10V
封装：TO220F
|
最小起订量：10
倍数：1 |
|
大陆：6-8 | ||
|
STD1NC60-VB
|
VBsemi(微碧半导体) |
20000
|
N沟道,650V,2A,3.8Ω@10V
N沟道,650V,2A,3.8Ω@10V
封装：TO252
|
最小起订量：10
倍数：1 |
|
大陆：6-8 |
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