企业简介
芯洲科技创立于2016年,是国内领先的中高压DC/DC(直流到直流)功率转换芯片提供商。芯洲科技践行围绕客户需求创新和质量第一的文化,致力于功率转换、功率控制和功率保护的核心技术,提供有商业竞争力的模拟电源芯片解决方案和服务,帮助客户解决功率密度、效率、电磁干扰、散热、产品体积、安全以及芯片设计易用性等系统应用方面的挑战和困难,保障客户电子电气产品高效节能安全运行,创造客户价值。
主营产品
电源管理IC、ACDC变换器、DCDC变换器应用领域
汽车电子、工业通讯、通讯网络、消费电子产品列表 当前数据(24)
分类选择: 全部 DC-DC电源芯片 无线充放电IC 栅极驱动IC
型号 | 制造商 | 库存|库位 | 描述 | 订货规则 | 数量阶梯 香港交货 大陆交货 | 数量 | 货期(工作日) | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SCT12A0DHKR
|
SCT(芯洲科技) |
3000
|
宽范围4.5V-14.6V输出电压,全集成上下功率MOSFET管 Rdson 13mΩ/11mΩ ,高达12A功率管开关电流, 可调峰值限流阈值,1uA典型关断电流,可编程200kHz-2.2MHz开关频率,可选PFM和强制PWM工作模式,可编程软启动时间,输出电压过压保护阈值 15.4V,反馈电压过压保护 110%的参考电压,150°C过温保护,3.5mmx4.5mm超扁平20脚DFN封装
宽范围4.5V-14.6V输出电压,全集成上下功率MOSFET管 Rdson 13mΩ/11mΩ ,高达12A功率管开关电流, 可调峰值限流阈值,1uA典型关断电流,可编程200kHz-2.2MHz开关频率,可选PFM和强制PWM工作模式,可编程软启动时间,输出电压过压保护阈值 15.4V,反馈电压过压保护 110%的参考电压,150°C过温保护,3.5mmx4.5mm超扁平20脚DFN封装
封装:DFN-20
|
最小起订量:1
倍数:1 |
1+
¥▩▩🚊💅💅◸
100+
¥🍣🚊🤛⥺😇
500+
¥🍣🚊🌟💅▩
1000+
¥🍣🚊🌟▩
|
大陆:5-7 |
|
|
SCT2220TVAR
|
SCT(芯洲科技) |
1817
|
4.2V-17V 输入电压范围,连续输出电流:高达 2A,反馈参考电压: 0.8V ±2.5%,上管/下管 MOSFET Rdson: 90mΩ/60mΩ,轻负载下脉冲频率调制(PFM Mode) ,待机静态电流: 150uA,最小导通时间: 80ns,内置软启动时间: 2ms ,调开关频率750KHz,输出过压保护,过热保护150oC
4.2V-17V 输入电压范围,连续输出电流:高达 2A,反馈参考电压: 0.8V ±2.5%,上管/下管 MOSFET Rdson: 90mΩ/60mΩ,轻负载下脉冲频率调制(PFM Mode) ,待机静态电流: 150uA,最小导通时间: 80ns,内置软启动时间: 2ms ,调开关频率750KHz,输出过压保护,过热保护150oC
封装:TSOT563-6
|
最小起订量:6
倍数:1 |
1+
¥❍🚊🤛⬻⬻
100+
¥▩🚊😇🤛😇
500+
¥▩🚊🤛🤛❍
1000+
¥▩🚊▩⬻▩
|
大陆:5-7 |
|
|
SCT2220TVBR
|
SCT(芯洲科技) |
3000
|
4.2V-17V 输入电压范围,连续输出电流:高达 2A,反馈参考电压: 0.8V ±2.5%,上管/下管 MOSFET Rdson: 90mΩ/60mΩ,轻负载下脉冲频率调制(PFM Mode) ,待机静态电流: 150uA,最小导通时间: 80ns,内置软启动时间: 2ms ,调开关频率750KHz,输出过压保护,过热保护150oC
4.2V-17V 输入电压范围,连续输出电流:高达 2A,反馈参考电压: 0.8V ±2.5%,上管/下管 MOSFET Rdson: 90mΩ/60mΩ,轻负载下脉冲频率调制(PFM Mode) ,待机静态电流: 150uA,最小导通时间: 80ns,内置软启动时间: 2ms ,调开关频率750KHz,输出过压保护,过热保护150oC
封装:TSOT23-6
|
最小起订量:6
倍数:1 |
1+
¥❍🚊🤛⬻⬻
100+
¥▩🚊😇🤛😇
500+
¥▩🚊🤛🤛❍
1000+
¥▩🚊▩⬻▩
|
大陆:5-7 |
|
|
SCT2230ATVAR
|
SCT(芯洲科技) |
5000
|
4.2V-17V 输入电压范围,连续输出电流高达 3A,集成上管/下管 MOSFET Rdson 70mΩ/42mΩ,输出电压范围: 0.8V-7V,上管/下管 MOSFET Rdson: 70mΩ/35mΩ,逐周期限流,待机静态电流: 155uA,最小导通时间: 80ns,内置软启动时间: 2ms ,调开关频率 750KHz,输入欠压锁定,轻载省电模式,输出过压保护,过热保护
4.2V-17V 输入电压范围,连续输出电流高达 3A,集成上管/下管 MOSFET Rdson 70mΩ/42mΩ,输出电压范围: 0.8V-7V,上管/下管 MOSFET Rdson: 70mΩ/35mΩ,逐周期限流,待机静态电流: 155uA,最小导通时间: 80ns,内置软启动时间: 2ms ,调开关频率 750KHz,输入欠压锁定,轻载省电模式,输出过压保护,过热保护
封装:TSOT563-6
|
最小起订量:5
倍数:1 |
1+
¥❍🚊🤛⬻⬻
100+
¥▩🚊⥺⬻⬻
500+
¥▩🚊⥺🌟😇
1000+
¥▩🚊❍❍
|
大陆:5-7 |
|
|
SCT2230TVBR
|
SCT(芯洲科技) |
1735
|
4.2V-17V 输入电压范围,连续输出电流:高达 3A,反馈参考电压: 0.8V ± 2.5%,上管/下管 MOSFET Rdson: 70mΩ/35mΩ,轻负载下脉冲频率调制(PFM Mode) ,待机静态电流: 150uA,最小导通时间: 80ns,内置软启动时间: 2ms ,调开关频率 750KHz,输出过压保护,过热保护150oC
4.2V-17V 输入电压范围,连续输出电流:高达 3A,反馈参考电压: 0.8V ± 2.5%,上管/下管 MOSFET Rdson: 70mΩ/35mΩ,轻负载下脉冲频率调制(PFM Mode) ,待机静态电流: 150uA,最小导通时间: 80ns,内置软启动时间: 2ms ,调开关频率 750KHz,输出过压保护,过热保护150oC
封装:TSOT23-6
|
最小起订量:5
倍数:1 |
1+
¥❍🚊🤛⬻⬻
100+
¥▩🚊⥺⬻⬻
500+
¥▩🚊⥺🌟😇
1000+
¥▩🚊❍❍
|
大陆:5-7 |
|
|
SCT2231TVAR
|
SCT(芯洲科技) |
5000
|
|
最小起订量:5
倍数:1 |
1+
¥❍🚊🤛⬻⬻
100+
¥▩🚊⥺⬻⬻
500+
¥▩🚊⥺🌟😇
1000+
¥▩🚊❍❍
|
大陆:5-7 |
|
|
SCT2250FPAR
|
SCT(芯洲科技) |
5000
|
4.5V-18V 输入电压范围,连续输出电流:高达 5A,反馈参考电压: 0.6V ±1%,上管/下管 MOSFET Rdson: 42mΩ/17mΩ,轻负载下脉冲频率调制(PFM Mode) ,待机静态电流: 140uA,最小导通时间: 70ns,内置软启动时间: 1ms ,可调开关频率 400KHz, 800KHz, 1.2MHz ,输出过压保护,过热保护150oC
4.5V-18V 输入电压范围,连续输出电流:高达 5A,反馈参考电压: 0.6V ±1%,上管/下管 MOSFET Rdson: 42mΩ/17mΩ,轻负载下脉冲频率调制(PFM Mode) ,待机静态电流: 140uA,最小导通时间: 70ns,内置软启动时间: 1ms ,可调开关频率 400KHz, 800KHz, 1.2MHz ,输出过压保护,过热保护150oC
封装:QFN-12
|
最小起订量:3
倍数:1 |
1+
¥⬻🚊🍣😇▩
100+
¥😇🚊❍🍣😇
500+
¥😇🚊😇◸⥺
1000+
¥😇🚊😇🤛▩
|
大陆:5-7 |
|
|
SCT2260AFPAR
|
SCT(芯洲科技) |
3917
|
4.5V-18V 输入电压范围,连续输出电流:高达 6A,反馈参考电压: 0.6V ±1%,上管/下管 MOSFET Rdson: 25mΩ/12mΩ,轻负载下脉冲频率调制(PFM Mode) ,待机静态电流: 130uA,最小导通时间: 60ns,内置软启动时间: 1ms ,可调开关频率 400KHz, 800KHz,1.2MHz ,输出过压保护,过热保护150oC
4.5V-18V 输入电压范围,连续输出电流:高达 6A,反馈参考电压: 0.6V ±1%,上管/下管 MOSFET Rdson: 25mΩ/12mΩ,轻负载下脉冲频率调制(PFM Mode) ,待机静态电流: 130uA,最小导通时间: 60ns,内置软启动时间: 1ms ,可调开关频率 400KHz, 800KHz,1.2MHz ,输出过压保护,过热保护150oC
封装:QFN-12
|
最小起订量:3
倍数:1 |
1+
¥⥺🚊💅⥺🍣
100+
¥😇🚊🤛⥺🍣
500+
¥😇🚊▩😇🤛
1000+
¥😇🚊🌟◸🍣
|
大陆:5-7 |
|
|
SCT2400TVBR
|
SCT(芯洲科技) |
2448
|
宽范围4.5V-40V输入电压, 高达600mA的输出电流, 全集成600mΩ 和300mΩ上下功率MOSFET管, 12V输出,0.1%超低输出纹波满足电表等特殊应用需求, 固定1.2MHz 开关频率减少外围电感电容尺寸,低纹波, 0.8V±2.5% 反馈参考电压, 轻载下脉冲调制PSM 高效工作模式, 90uA 静态工作电流, 100ns最小导通时间, 内置 1ms软启动时间, 过热保护
宽范围4.5V-40V输入电压, 高达600mA的输出电流, 全集成600mΩ 和300mΩ上下功率MOSFET管, 12V输出,0.1%超低输出纹波满足电表等特殊应用需求, 固定1.2MHz 开关频率减少外围电感电容尺寸,低纹波, 0.8V±2.5% 反馈参考电压, 轻载下脉冲调制PSM 高效工作模式, 90uA 静态工作电流, 100ns最小导通时间, 内置 1ms软启动时间, 过热保护
封装:TSOT23-6
|
最小起订量:6
倍数:1 |
1+
¥😇🚊😇🌟😇
100+
¥▩🚊😇❍▩
500+
¥▩🚊🤛😇😇
1000+
¥🌟🚊💅💅
|
大陆:5-7 |
|
|
SCT2401TVBR
|
SCT(芯洲科技) |
3000
|
宽范围4.5V-40V输入电压, 高达600mA的输出电流, 全集成600mΩ 和300mΩ上下功率MOSFET管, 12V输出,0.1%超低输出纹波满足电表等特殊应用需求, 固定1.2MHz 开关频率减少外围电感电容尺寸,低纹波, 0.8V±2.5% 反馈参考电压, 轻载下脉冲调制PSM 高效工作模式, 90uA 静态工作电流, 100ns最小导通时间, 内置 1ms软启动时间, 过热保护
宽范围4.5V-40V输入电压, 高达600mA的输出电流, 全集成600mΩ 和300mΩ上下功率MOSFET管, 12V输出,0.1%超低输出纹波满足电表等特殊应用需求, 固定1.2MHz 开关频率减少外围电感电容尺寸,低纹波, 0.8V±2.5% 反馈参考电压, 轻载下脉冲调制PSM 高效工作模式, 90uA 静态工作电流, 100ns最小导通时间, 内置 1ms软启动时间, 过热保护
封装:TSOT23-6
|
最小起订量:6
倍数:1 |
1+
¥😇🚊▩⬻🍣
100+
¥▩🚊😇❍▩
500+
¥▩🚊🤛😇😇
1000+
¥🌟🚊💅💅
|
大陆:5-7 |
|
|
SCT2612STER
|
SCT(芯洲科技) |
4000
|
宽输入范围:4.2V-60V,高达1A的连续输出电流,0.8V±1%反馈参考电压,集成220mΩ高压侧MOSFET,低静态电流为100uA,轻负载下的脉冲跳过模式(PSM),最小接通时间100ns,内置4ms软启动时间,简易的内部补偿,可调频率100KHz至1.2MHz,UV 和 OV 功率输出,外部时钟同步,可编程输入电压欠压锁定保护(UVLO)阈值和滞后的精确启用阈值,低压差模式操作,可衍生逆变电压调节器,过压和过热保护
宽输入范围:4.2V-60V,高达1A的连续输出电流,0.8V±1%反馈参考电压,集成220mΩ高压侧MOSFET,低静态电流为100uA,轻负载下的脉冲跳过模式(PSM),最小接通时间100ns,内置4ms软启动时间,简易的内部补偿,可调频率100KHz至1.2MHz,UV 和 OV 功率输出,外部时钟同步,可编程输入电压欠压锁定保护(UVLO)阈值和滞后的精确启用阈值,低压差模式操作,可衍生逆变电压调节器,过压和过热保护
封装:ESOP-8
|
最小起订量:1
倍数:1 |
1+
¥▩🤛🚊🌟🤛❍
100+
¥▩🌟🚊🤛⥺▩
500+
¥💅🚊🍣💅▩
1000+
¥💅🚊◸🤛
|
大陆:5-7 |
|
|
SCT2622STER
|
SCT(芯洲科技) |
4000
|
宽输入范围:4.2V-60V,高达2A的连续输出电流,0.8V±1%反馈参考电压,集成220mΩ高压侧MOSFET,低静态电流为185uA,轻负载下的脉冲跳过模式(PSM),最小接通时间100ns,内置4ms软启动时间,简易环路补偿,可调频率100KHz至1.2MHz,UV 和 OV 功率输出,外部时钟同步,可编程输入电压欠压锁定保护(UVLO)阈值和滞后的精确启用阈值,低压差模式操作,可衍生逆变电压调节器,过压和过热保护
宽输入范围:4.2V-60V,高达2A的连续输出电流,0.8V±1%反馈参考电压,集成220mΩ高压侧MOSFET,低静态电流为185uA,轻负载下的脉冲跳过模式(PSM),最小接通时间100ns,内置4ms软启动时间,简易环路补偿,可调频率100KHz至1.2MHz,UV 和 OV 功率输出,外部时钟同步,可编程输入电压欠压锁定保护(UVLO)阈值和滞后的精确启用阈值,低压差模式操作,可衍生逆变电压调节器,过压和过热保护
封装:ESOP-8
|
最小起订量:1
倍数:1 |
1+
¥▩🤛🚊🌟🤛❍
100+
¥❍🚊❍▩💅
500+
¥❍🚊▩🤛🤛
1000+
¥😇🚊💅🍣◸
|
大陆:5-7 |
|
|
SCT2A10STER
|
SCT(芯洲科技) |
4000
|
4.5V-85V 输入电压范围, 高达24V最大输出, 600mA 连续输出电流, 0.8V ±1% 反馈电压, 集成 770mΩ 上管和 460mΩ 下管功率 MOSFETs, 轻负载脉冲频率调制和100uA静态电流, 4ms 内置软启动时间, 300KHz 至 800kHz 可调开关频率, 精密的使能电压,可编程UVLO阈值和迟滞, 逐周期电流限制, 输出过压保护, 过温保护
4.5V-85V 输入电压范围, 高达24V最大输出, 600mA 连续输出电流, 0.8V ±1% 反馈电压, 集成 770mΩ 上管和 460mΩ 下管功率 MOSFETs, 轻负载脉冲频率调制和100uA静态电流, 4ms 内置软启动时间, 300KHz 至 800kHz 可调开关频率, 精密的使能电压,可编程UVLO阈值和迟滞, 逐周期电流限制, 输出过压保护, 过温保护
封装:ESOP-8
|
最小起订量:1
倍数:1 |
1+
¥▩🤛🚊◸⬻🤛
100+
¥◸🚊🌟🤛💅
500+
¥⬻🚊⬻🤛❍
1000+
¥⬻🚊❍⥺😇
|
大陆:5-7 |
|
|
SCT2A11STER
|
SCT(芯洲科技) |
4000
|
4.5V-100V 输入电压范围, 0.6A 连续输出电流, 0.8V ±1% 反馈电压, 集成 750mΩ 上管和 500mΩ 下管功率 MOSFETs, 轻负载脉冲频率调制和130uA静态电流, 4ms 内置软启动时间, 300KHz 至 800kHz 可调开关频率, 精密的使能电压,可编程UVLO阈值和迟滞, 逐周期电流限制, 输出过压保护, 过温保护
4.5V-100V 输入电压范围, 0.6A 连续输出电流, 0.8V ±1% 反馈电压, 集成 750mΩ 上管和 500mΩ 下管功率 MOSFETs, 轻负载脉冲频率调制和130uA静态电流, 4ms 内置软启动时间, 300KHz 至 800kHz 可调开关频率, 精密的使能电压,可编程UVLO阈值和迟滞, 逐周期电流限制, 输出过压保护, 过温保护
封装:ESOP-8
|
最小起订量:1
倍数:1 |
1+
¥▩▩🚊💅◸
100+
¥◸🚊🌟🤛💅
500+
¥⬻🚊⬻🤛❍
1000+
¥⬻🚊❍⥺😇
|
大陆:5-7 |
|
|
SCT2A25STER
|
SCT(芯洲科技) |
4000
|
5.5V-100V 输入电压范围, 最大输出电压:30V, 2A 连续输出电流, 4A峰值电流限制, 1.2V ±1% 反馈电压, 集成500mΩ 高侧功率 MOSFETs, 140uA静态电流, 恒定导通时间控制模式, 4ms 内置软启动时间, 300KHz 固定开关频率, 可编程输入电压欠压锁定保护(UVLO)阈值和滞后的精确启用阈值, 逐周期电流限制, 输出过压保护, 过温保护
5.5V-100V 输入电压范围, 最大输出电压:30V, 2A 连续输出电流, 4A峰值电流限制, 1.2V ±1% 反馈电压, 集成500mΩ 高侧功率 MOSFETs, 140uA静态电流, 恒定导通时间控制模式, 4ms 内置软启动时间, 300KHz 固定开关频率, 可编程输入电压欠压锁定保护(UVLO)阈值和滞后的精确启用阈值, 逐周期电流限制, 输出过压保护, 过温保护
封装:ESOP-8
|
最小起订量:1
倍数:1 |
1+
¥▩😇🚊⥺🌟
100+
¥▩🌟🚊🌟🤛⬻
500+
¥💅🚊⬻⬻⬻
1000+
¥💅🚊❍◸◸
|
大陆:5-7 |
|
|
SCT51240TWBR
|
SCT(芯洲科技) |
2985
|
4.5-24V宽供电电压, 4A 峰值驱动拉电流和灌电流, 支持两种输入模式:正向输入、反向输入, 低至-5V负压输入, 12ns传输延迟, 快速上升下降时间(典型值9ns上升时间,6ns下降时间), 38uA静态功耗, 输入悬空时输入保持低电平, 170°C过热保护
4.5-24V宽供电电压, 4A 峰值驱动拉电流和灌电流, 支持两种输入模式:正向输入、反向输入, 低至-5V负压输入, 12ns传输延迟, 快速上升下降时间(典型值9ns上升时间,6ns下降时间), 38uA静态功耗, 输入悬空时输入保持低电平, 170°C过热保护
封装:TSOT23-5
|
最小起订量:5
倍数:1 |
1+
¥⬻🚊💅⥺◸
100+
¥▩🚊❍💅❍
500+
¥▩🚊😇◸◸
1000+
¥▩🚊😇🌟⥺
|
大陆:5-7 |
|
|
SCT52241STDR
|
SCT(芯洲科技) |
4000
|
4.5-24V宽供电电压, 4A 峰值驱动拉电流和灌电流, 低至-5V负压输入, 支持TTL低压逻辑输入, 13ns传输延迟, 快速上升下降时间(典型值8ns), 双通道1ns典型值延迟匹配时间, 55uA静态功耗, 输入悬空时输入保持低电平, 单个通道独立使能, 170°C过热保护
4.5-24V宽供电电压, 4A 峰值驱动拉电流和灌电流, 低至-5V负压输入, 支持TTL低压逻辑输入, 13ns传输延迟, 快速上升下降时间(典型值8ns), 双通道1ns典型值延迟匹配时间, 55uA静态功耗, 输入悬空时输入保持低电平, 单个通道独立使能, 170°C过热保护
封装:SOP-8
|
最小起订量:3
倍数:1 |
1+
¥⬻🚊❍▩◸
100+
¥😇🚊⥺▩
500+
¥😇🚊😇🍣❍
1000+
¥😇🚊😇🤛▩
|
大陆:5-7 |
|
|
SCT52242STDR
|
SCT(芯洲科技) |
4000
|
4.5-24V宽供电电压, 4A 峰值驱动拉电流和灌电流, 双通道并联输出,增强驱动能力, 低至-5V负压输入, 支持TTL低压逻辑输入, 13ns传输延迟, 快速上升下降时间(典型值8ns), 双通道1ns典型值延迟匹配时间, 55uA静态功耗, 输入悬空时输入保持低电平, 每路输出有独立的使能控制, 170°C过热保护
4.5-24V宽供电电压, 4A 峰值驱动拉电流和灌电流, 双通道并联输出,增强驱动能力, 低至-5V负压输入, 支持TTL低压逻辑输入, 13ns传输延迟, 快速上升下降时间(典型值8ns), 双通道1ns典型值延迟匹配时间, 55uA静态功耗, 输入悬空时输入保持低电平, 每路输出有独立的使能控制, 170°C过热保护
封装:SOP-8
|
最小起订量:3
倍数:1 |
1+
¥⥺🚊◸🌟⬻
100+
¥😇🚊▩▩❍
500+
¥😇🚊🌟🌟⬻
1000+
¥🤛🚊💅⥺🤛
|
大陆:5-7 |
|
|
SCT63140FMAR
|
SCT(芯洲科技) |
5000
|
宽范围4V-15V输入电压, 支持15W功率输出, 集成4个功率MOSFET的全桥,MOSFET管导通电阻13-mΩ, 集成5V固定输出,带载能力100mA的低压差线性稳压器(LDO), 优化抗EMI设计, 内置3.3V输出,带载能力100mA的低压差线性稳定器(LDO), 集成无损±2%精度的全桥电流检测,可用于异物检测(FOD)和电流解调功能, PWM兼容3.3V和5V逻辑信号输入, 输入欠压保护, 过流保护, 过温保护
宽范围4V-15V输入电压, 支持15W功率输出, 集成4个功率MOSFET的全桥,MOSFET管导通电阻13-mΩ, 集成5V固定输出,带载能力100mA的低压差线性稳压器(LDO), 优化抗EMI设计, 内置3.3V输出,带载能力100mA的低压差线性稳定器(LDO), 集成无损±2%精度的全桥电流检测,可用于异物检测(FOD)和电流解调功能, PWM兼容3.3V和5V逻辑信号输入, 输入欠压保护, 过流保护, 过温保护
封装:QFN-15
|
最小起订量:4
倍数:1 |
1+
¥❍🚊🌟⬻🍣
100+
¥🤛🚊🤛⬻🍣
500+
¥🤛🚊▩🍣◸
1000+
¥🤛🚊▩⥺▩
|
大陆:5-7 |
|
|
SCT2230CTVBR
|
SCT(芯洲科技) |
1295
|
|
最小起订量:6
倍数:1 |
1+
¥🤛🚊▩⥺▩
100+
¥▩🚊😇🤛😇
500+
¥▩🚊🤛🤛❍
1000+
¥▩🚊▩⬻▩
|
大陆:5-7 |
|