4.2V-17V 输入电压范围，连续输出电流：高达 2A，反馈参考电压: 0.8V ±2.5%，上管/下管 MOSFET Rdson: 90mΩ/60mΩ，轻负载下脉冲频率调制（PFM Mode) ，待机静态电流: 150uA，最小导通时间: 80ns，内置软启动时间: 2ms ，调开关频率750KHz，输出过压保护，过热保护150oC

封装：TSOT563-6

4.2V-17V 输入电压范围，连续输出电流：高达 2A，反馈参考电压: 0.8V ±2.5%，上管/下管 MOSFET Rdson: 90mΩ/60mΩ，轻负载下脉冲频率调制（PFM Mode) ，待机静态电流: 150uA，最小导通时间: 80ns，内置软启动时间: 2ms ，调开关频率750KHz，输出过压保护，过热保护150oC

封装：TSOT23-6

4.2V-17V 输入电压范围，连续输出电流高达 3A，集成上管/下管 MOSFET Rdson 70mΩ/42mΩ，输出电压范围： 0.8V-7V，上管/下管 MOSFET Rdson: 70mΩ/35mΩ，逐周期限流，待机静态电流: 155uA，最小导通时间: 80ns，内置软启动时间: 2ms ，调开关频率 750KHz，输入欠压锁定，轻载省电模式，输出过压保护，过热保护

封装：TSOT563-6

封装：TSOT23-6

4.2V-17V 输入电压范围，连续输出电流：高达 3A，反馈参考电压: 0.8V ± 2.5%，上管/下管 MOSFET Rdson: 70mΩ/35mΩ，轻负载下脉冲频率调制（PFM Mode) ，待机静态电流: 150uA，最小导通时间: 80ns，内置软启动时间: 2ms ，调开关频率 750KHz，输出过压保护，过热保护150oC

封装：TSOT23-6

封装：TSOT563-6

4.5V-18V 输入电压范围，连续输出电流：高达 5A，反馈参考电压: 0.6V ±1%，上管/下管 MOSFET Rdson: 42mΩ/17mΩ，轻负载下脉冲频率调制（PFM Mode) ，待机静态电流: 140uA，最小导通时间: 70ns，内置软启动时间: 1ms ，可调开关频率 400KHz， 800KHz， 1.2MHz ，输出过压保护，过热保护150oC

封装：QFN-12

4.5V-18V 输入电压范围，连续输出电流：高达 6A，反馈参考电压: 0.6V ±1%，上管/下管 MOSFET Rdson: 25mΩ/12mΩ，轻负载下脉冲频率调制（PFM Mode) ，待机静态电流: 130uA，最小导通时间: 60ns，内置软启动时间: 1ms ，可调开关频率 400KHz， 800KHz，1.2MHz ，输出过压保护，过热保护150oC

封装：QFN-12

宽4V-28V输入电压范围，0.6V-14V输出电压范围，6A连续输出电流，集成36mΩ/18mΩRdson的HS/LS功率MOSFETs，固定1ms软启动时间，可选400KHz、800KHz、1.2MHz开关频率，可选的PWM、PFM和USM工作模式，逐周限流，输出过压保护，过热保护

封装：QFN-12

宽4V-28V输入电压范围，0.6V-6V输出电压范围，6A连续输出电流，集成36mΩ/18mΩRdson的HS/LS功率MOSFETs•集成3.3V,150mA LDO，固定1ms软启动时间，固定400KHz开关频率，可选的PWM、PFM和USM工作模式，逐周限流，输出过压保护，过热保护

封装：QFN-12

宽范围4.5V-40V输入电压， 高达600mA的输出电流， 全集成600mΩ 和300mΩ上下功率MOSFET管， 12V输出，0.1%超低输出纹波满足电表等特殊应用需求， 固定1.2MHz 开关频率减少外围电感电容尺寸，低纹波， 0.8V±2.5% 反馈参考电压， 轻载下脉冲调制PSM 高效工作模式， 90uA 静态工作电流， 100ns最小导通时间， 内置 1ms软启动时间， 过热保护

封装：TSOT23-6

宽范围4.5V-40V输入电压， 高达600mA的输出电流， 全集成600mΩ 和300mΩ上下功率MOSFET管， 12V输出，0.1%超低输出纹波满足电表等特殊应用需求， 固定1.2MHz 开关频率减少外围电感电容尺寸，低纹波， 0.8V±2.5% 反馈参考电压， 轻载下脉冲调制PSM 高效工作模式， 90uA 静态工作电流， 100ns最小导通时间， 内置 1ms软启动时间， 过热保护

封装：TSOT23-6

宽输入范围：4.5V-60V，高达0.6A的连续输出电流，0.765V±2.5%反馈参考电压，集成500mΩ高压侧MOSFET，低静态电流为80uA，轻负载下的脉冲跳过模式（PSM），最小接通时间80ns，内置6ms软启动时间，开关频率为700KHz，可编程输入电压欠压锁定保护（UVLO）阈值和滞后的精确启用阈值，低压差模式操作，过压和过热保护

封装：TSOT23-6

宽输入范围：4.2V-60V，高达1A的连续输出电流，0.8V±1%反馈参考电压，集成220mΩ高压侧MOSFET，低静态电流为100uA，轻负载下的脉冲跳过模式（PSM），最小接通时间100ns，内置4ms软启动时间，简易的内部补偿，可调频率100KHz至1.2MHz，UV 和 OV 功率输出，外部时钟同步，可编程输入电压欠压锁定保护（UVLO）阈值和滞后的精确启用阈值，低压差模式操作，可衍生逆变电压调节器，过压和过热保护

封装：ESOP-8

宽输入范围：4.2V-60V，高达2A的连续输出电流，0.8V±1%反馈参考电压，集成220mΩ高压侧MOSFET，低静态电流为185uA，轻负载下的脉冲跳过模式（PSM），最小接通时间100ns，内置4ms软启动时间，简易环路补偿，可调频率100KHz至1.2MHz，UV 和 OV 功率输出，外部时钟同步，可编程输入电压欠压锁定保护（UVLO）阈值和滞后的精确启用阈值，低压差模式操作，可衍生逆变电压调节器，过压和过热保护

封装：ESOP-8

5.5V-100V 输入电压范围， 最大输出电压：30V， 2A 连续输出电流， 4A峰值电流限制， 1.2V ±1% 反馈电压， 集成500mΩ 高侧功率 MOSFETs， 140uA静态电流， 恒定导通时间控制模式， 4ms 内置软启动时间， 300KHz 固定开关频率， 可编程输入电压欠压锁定保护（UVLO）阈值和滞后的精确启用阈值， 逐周期电流限制， 输出过压保护， 过温保护

封装：ESOP-8

4.5-24V宽供电电压， 4A 峰值驱动拉电流和灌电流， 支持两种输入模式：正向输入、反向输入， 低至-5V负压输入， 12ns传输延迟， 快速上升下降时间（典型值9ns上升时间，6ns下降时间）， 38uA静态功耗， 输入悬空时输入保持低电平， 170°C过热保护

封装：TSOT23-5

4.5-24V宽供电电压， 4A 峰值驱动拉电流和灌电流， 低至-5V负压输入， 支持TTL低压逻辑输入， 13ns传输延迟， 快速上升下降时间（典型值8ns）， 双通道1ns典型值延迟匹配时间， 55uA静态功耗， 输入悬空时输入保持低电平， 单个通道独立使能， 170°C过热保护

封装：SOP-8

4.5-24V宽供电电压， 4A 峰值驱动拉电流和灌电流， 双通道并联输出，增强驱动能力， 低至-5V负压输入， 支持TTL低压逻辑输入， 13ns传输延迟， 快速上升下降时间（典型值8ns）， 双通道1ns典型值延迟匹配时间， 55uA静态功耗， 输入悬空时输入保持低电平， 每路输出有独立的使能控制， 170°C过热保护

封装：SOP-8

宽范围4V-15V输入电压， 支持15W功率输出， 集成4个功率MOSFET的全桥，MOSFET管导通电阻13-mΩ， 集成5V固定输出，带载能力100mA的低压差线性稳压器（LDO）， 优化抗EMI设计， 内置3.3V输出，带载能力100mA的低压差线性稳定器（LDO）， 集成无损±2%精度的全桥电流检测，可用于异物检测（FOD）和电流解调功能， PWM兼容3.3V和5V逻辑信号输入， 输入欠压保护， 过流保护， 过温保护

封装：QFN-15