
企业简介
芯洲科技创立于2016年,是国内领先的中高压DCDC(直流到直流)功率转换芯片提供商。核心研发和管理团队来自业界顶级半导体设计公司,公司拥有独立自主知识产权和丰富的IP积累,在北京、深圳、成都、杭州设有办公地,业务遍及全国。芯洲科技践行围绕客户需求创新和质量第一的文化,致力于功率转换、功率控制和功率保护的核心技术,提供有商业竞争力的模拟电源芯片解决方案和服务,帮助客户解决功率密度、效率、电磁干扰、散热、产品体积、安全以及芯片设计易用性等系统应用方面的挑战和困难,保障客户电子电气产品高效节能安全运行,创造客户价值。芯洲科技和生态中的上下游合作伙伴共同打造可持续的核心竞争力和核心产业价值,为世界节能降耗,共创绿色低碳新生活。芯洲科技秉持着以价值为先,以贡献为本,诚信求真,在产品品质、服务、管理上不懈追求极致的核心价值观。
主营产品
电源管理IC、ACDC变换器、DCDC变换器应用领域
汽车电子、工业通讯、通讯网络、消费电子产品列表 当前数据(24)
分类选择: 全部 无线充放电IC 栅极驱动IC DC-DC电源芯片
型号 | 制造商 | 库存|库位 | 描述 | 订货规则 | 数量阶梯 香港交货 大陆交货 | 数量 | 货期(工作日) | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SCT2220TVAR
|
SCT(芯洲科技) |
1817
|
4.2V-17V 输入电压范围,连续输出电流:高达 2A,反馈参考电压: 0.8V ±2.5%,上管/下管 MOSFET Rdson: 90mΩ/60mΩ,轻负载下脉冲频率调制(PFM Mode) ,待机静态电流: 150uA,最小导通时间: 80ns,内置软启动时间: 2ms ,调开关频率750KHz,输出过压保护,过热保护150oC
4.2V-17V 输入电压范围,连续输出电流:高达 2A,反馈参考电压: 0.8V ±2.5%,上管/下管 MOSFET Rdson: 90mΩ/60mΩ,轻负载下脉冲频率调制(PFM Mode) ,待机静态电流: 150uA,最小导通时间: 80ns,内置软启动时间: 2ms ,调开关频率750KHz,输出过压保护,过热保护150oC
封装:TSOT563-6
|
最小起订量:5
倍数:1 |
1+
¥❍🚊◸❍
100+
¥▩🚊❍◸
500+
¥▩🚊😇⬻
1000+
¥▩🚊🤛💅
|
大陆:7-10 |
|
|
SCT2220TVBR
|
SCT(芯洲科技) |
3000
|
4.2V-17V 输入电压范围,连续输出电流:高达 2A,反馈参考电压: 0.8V ±2.5%,上管/下管 MOSFET Rdson: 90mΩ/60mΩ,轻负载下脉冲频率调制(PFM Mode) ,待机静态电流: 150uA,最小导通时间: 80ns,内置软启动时间: 2ms ,调开关频率750KHz,输出过压保护,过热保护150oC
4.2V-17V 输入电压范围,连续输出电流:高达 2A,反馈参考电压: 0.8V ±2.5%,上管/下管 MOSFET Rdson: 90mΩ/60mΩ,轻负载下脉冲频率调制(PFM Mode) ,待机静态电流: 150uA,最小导通时间: 80ns,内置软启动时间: 2ms ,调开关频率750KHz,输出过压保护,过热保护150oC
封装:TSOT23-6
|
最小起订量:5
倍数:1 |
1+
¥❍🚊◸❍
100+
¥▩🚊❍◸
500+
¥▩🚊😇⬻
1000+
¥▩🚊🤛💅
|
大陆:7-10 |
|
|
SCT2230ATVAR
|
SCT(芯洲科技) |
5000
|
4.2V-17V 输入电压范围,连续输出电流高达 3A,集成上管/下管 MOSFET Rdson 70mΩ/42mΩ,输出电压范围: 0.8V-7V,上管/下管 MOSFET Rdson: 70mΩ/35mΩ,逐周期限流,待机静态电流: 155uA,最小导通时间: 80ns,内置软启动时间: 2ms ,调开关频率 750KHz,输入欠压锁定,轻载省电模式,输出过压保护,过热保护
4.2V-17V 输入电压范围,连续输出电流高达 3A,集成上管/下管 MOSFET Rdson 70mΩ/42mΩ,输出电压范围: 0.8V-7V,上管/下管 MOSFET Rdson: 70mΩ/35mΩ,逐周期限流,待机静态电流: 155uA,最小导通时间: 80ns,内置软启动时间: 2ms ,调开关频率 750KHz,输入欠压锁定,轻载省电模式,输出过压保护,过热保护
封装:TSOT563-6
|
最小起订量:4
倍数:1 |
1+
¥❍🚊◸❍
100+
¥▩🚊◸❍
500+
¥▩🚊⬻◸
1000+
¥▩🚊⬻
|
大陆:7-10 |
|
|
SCT2230CTVBR
|
SCT(芯洲科技) |
2500
|
|
最小起订量:5
倍数:1 |
1+
¥🤛🚊😇💅
100+
¥▩🚊❍◸
500+
¥▩🚊😇⬻
1000+
¥▩🚊🤛💅
|
大陆:7-10 |
|
|
SCT2230TVBR
|
SCT(芯洲科技) |
1735
|
4.2V-17V 输入电压范围,连续输出电流:高达 3A,反馈参考电压: 0.8V ± 2.5%,上管/下管 MOSFET Rdson: 70mΩ/35mΩ,轻负载下脉冲频率调制(PFM Mode) ,待机静态电流: 150uA,最小导通时间: 80ns,内置软启动时间: 2ms ,调开关频率 750KHz,输出过压保护,过热保护150oC
4.2V-17V 输入电压范围,连续输出电流:高达 3A,反馈参考电压: 0.8V ± 2.5%,上管/下管 MOSFET Rdson: 70mΩ/35mΩ,轻负载下脉冲频率调制(PFM Mode) ,待机静态电流: 150uA,最小导通时间: 80ns,内置软启动时间: 2ms ,调开关频率 750KHz,输出过压保护,过热保护150oC
封装:TSOT23-6
|
最小起订量:4
倍数:1 |
1+
¥❍🚊◸❍
100+
¥▩🚊◸❍
500+
¥▩🚊⬻◸
1000+
¥▩🚊⬻
|
大陆:7-10 |
|
|
SCT2231TVAR
|
SCT(芯洲科技) |
5000
|
|
最小起订量:4
倍数:1 |
1+
¥❍🚊◸❍
100+
¥▩🚊◸❍
500+
¥▩🚊⬻◸
1000+
¥▩🚊⬻
|
大陆:7-10 |
|
|
SCT2250FPAR
|
SCT(芯洲科技) |
5000
|
4.5V-18V 输入电压范围,连续输出电流:高达 5A,反馈参考电压: 0.6V ±1%,上管/下管 MOSFET Rdson: 42mΩ/17mΩ,轻负载下脉冲频率调制(PFM Mode) ,待机静态电流: 140uA,最小导通时间: 70ns,内置软启动时间: 1ms ,可调开关频率 400KHz, 800KHz, 1.2MHz ,输出过压保护,过热保护150oC
4.5V-18V 输入电压范围,连续输出电流:高达 5A,反馈参考电压: 0.6V ±1%,上管/下管 MOSFET Rdson: 42mΩ/17mΩ,轻负载下脉冲频率调制(PFM Mode) ,待机静态电流: 140uA,最小导通时间: 70ns,内置软启动时间: 1ms ,可调开关频率 400KHz, 800KHz, 1.2MHz ,输出过压保护,过热保护150oC
封装:QFN-12
|
最小起订量:1
倍数:1 |
1+
¥◸🚊⥺💅
100+
¥😇🚊🍣◸
500+
¥😇🚊◸⥺
1000+
¥😇🚊⬻💅
|
大陆:7-10 |
|
|
SCT2260AFPAR
|
SCT(芯洲科技) |
3917
|
4.5V-18V 输入电压范围,连续输出电流:高达 6A,反馈参考电压: 0.6V ±1%,上管/下管 MOSFET Rdson: 25mΩ/12mΩ,轻负载下脉冲频率调制(PFM Mode) ,待机静态电流: 130uA,最小导通时间: 60ns,内置软启动时间: 1ms ,可调开关频率 400KHz, 800KHz,1.2MHz ,输出过压保护,过热保护150oC
4.5V-18V 输入电压范围,连续输出电流:高达 6A,反馈参考电压: 0.6V ±1%,上管/下管 MOSFET Rdson: 25mΩ/12mΩ,轻负载下脉冲频率调制(PFM Mode) ,待机静态电流: 130uA,最小导通时间: 60ns,内置软启动时间: 1ms ,可调开关频率 400KHz, 800KHz,1.2MHz ,输出过压保护,过热保护150oC
封装:QFN-12
|
最小起订量:2
倍数:1 |
1+
¥⬻🚊⬻🤛
100+
¥😇🚊⬻🤛
500+
¥😇🚊❍🍣
1000+
¥😇🚊❍🤛
|
大陆:7-10 |
|
|
SCT2360FPBR
|
SCT(芯洲科技) |
5000
|
宽4V-28V输入电压范围,0.6V-14V输出电压范围,6A连续输出电流,集成36mΩ/18mΩRdson的HS/LS功率MOSFETs,固定1ms软启动时间,可选400KHz、800KHz、1.2MHz开关频率,可选的PWM、PFM和USM工作模式,逐周限流,输出过压保护,过热保护
宽4V-28V输入电压范围,0.6V-14V输出电压范围,6A连续输出电流,集成36mΩ/18mΩRdson的HS/LS功率MOSFETs,固定1ms软启动时间,可选400KHz、800KHz、1.2MHz开关频率,可选的PWM、PFM和USM工作模式,逐周限流,输出过压保护,过热保护
封装:QFN-12
|
最小起订量:1
倍数:1 |
1+
¥▩🌟🚊❍💅
100+
¥⥺🚊◸⬻
500+
¥⥺🚊⥺⥺
1000+
¥⥺🚊❍⥺
|
大陆:7-10 |
|
|
SCT2361FPBR
|
SCT(芯洲科技) |
5000
|
宽4V-28V输入电压范围,0.6V-6V输出电压范围,6A连续输出电流,集成36mΩ/18mΩRdson的HS/LS功率MOSFETs•集成3.3V,150mA LDO,固定1ms软启动时间,固定400KHz开关频率,可选的PWM、PFM和USM工作模式,逐周限流,输出过压保护,过热保护
宽4V-28V输入电压范围,0.6V-6V输出电压范围,6A连续输出电流,集成36mΩ/18mΩRdson的HS/LS功率MOSFETs•集成3.3V,150mA LDO,固定1ms软启动时间,固定400KHz开关频率,可选的PWM、PFM和USM工作模式,逐周限流,输出过压保护,过热保护
封装:QFN-12
|
最小起订量:1
倍数:1 |
1+
¥▩🌟🚊❍💅
100+
¥⥺🚊◸⬻
500+
¥⥺🚊⥺⥺
1000+
¥⥺🚊❍⥺
|
大陆:7-10 |
|
|
SCT2400TVBR
|
SCT(芯洲科技) |
2448
|
宽范围4.5V-40V输入电压, 高达600mA的输出电流, 全集成600mΩ 和300mΩ上下功率MOSFET管, 12V输出,0.1%超低输出纹波满足电表等特殊应用需求, 固定1.2MHz 开关频率减少外围电感电容尺寸,低纹波, 0.8V±2.5% 反馈参考电压, 轻载下脉冲调制PSM 高效工作模式, 90uA 静态工作电流, 100ns最小导通时间, 内置 1ms软启动时间, 过热保护
宽范围4.5V-40V输入电压, 高达600mA的输出电流, 全集成600mΩ 和300mΩ上下功率MOSFET管, 12V输出,0.1%超低输出纹波满足电表等特殊应用需求, 固定1.2MHz 开关频率减少外围电感电容尺寸,低纹波, 0.8V±2.5% 反馈参考电压, 轻载下脉冲调制PSM 高效工作模式, 90uA 静态工作电流, 100ns最小导通时间, 内置 1ms软启动时间, 过热保护
封装:TSOT23-6
|
最小起订量:5
倍数:1 |
1+
¥😇🚊⬻◸
100+
¥▩🚊❍💅
500+
¥▩🚊😇◸
1000+
¥▩🚊▩
|
大陆:7-10 |
|
|
SCT2401TVBR
|
SCT(芯洲科技) |
3000
|
宽范围4.5V-40V输入电压, 高达600mA的输出电流, 全集成600mΩ 和300mΩ上下功率MOSFET管, 12V输出,0.1%超低输出纹波满足电表等特殊应用需求, 固定1.2MHz 开关频率减少外围电感电容尺寸,低纹波, 0.8V±2.5% 反馈参考电压, 轻载下脉冲调制PSM 高效工作模式, 90uA 静态工作电流, 100ns最小导通时间, 内置 1ms软启动时间, 过热保护
宽范围4.5V-40V输入电压, 高达600mA的输出电流, 全集成600mΩ 和300mΩ上下功率MOSFET管, 12V输出,0.1%超低输出纹波满足电表等特殊应用需求, 固定1.2MHz 开关频率减少外围电感电容尺寸,低纹波, 0.8V±2.5% 反馈参考电压, 轻载下脉冲调制PSM 高效工作模式, 90uA 静态工作电流, 100ns最小导通时间, 内置 1ms软启动时间, 过热保护
封装:TSOT23-6
|
最小起订量:5
倍数:1 |
1+
¥😇🚊⥺🤛
100+
¥▩🚊❍💅
500+
¥▩🚊😇◸
1000+
¥▩🚊▩
|
大陆:7-10 |
|
|
SCT2601TVBR
|
SCT(芯洲科技) |
3000
|
宽输入范围:4.5V-60V,高达0.6A的连续输出电流,0.765V±2.5%反馈参考电压,集成500mΩ高压侧MOSFET,低静态电流为80uA,轻负载下的脉冲跳过模式(PSM),最小接通时间80ns,内置6ms软启动时间,开关频率为700KHz,可编程输入电压欠压锁定保护(UVLO)阈值和滞后的精确启用阈值,低压差模式操作,过压和过热保护
宽输入范围:4.5V-60V,高达0.6A的连续输出电流,0.765V±2.5%反馈参考电压,集成500mΩ高压侧MOSFET,低静态电流为80uA,轻负载下的脉冲跳过模式(PSM),最小接通时间80ns,内置6ms软启动时间,开关频率为700KHz,可编程输入电压欠压锁定保护(UVLO)阈值和滞后的精确启用阈值,低压差模式操作,过压和过热保护
封装:TSOT23-6
|
最小起订量:1
倍数:1 |
1+
¥🍣🚊😇⥺
100+
¥😇🚊◸🍣
500+
¥😇🚊⬻🤛
1000+
¥🤛🚊❍❍
|
大陆:7-10 |
|
|
SCT2612STER
|
SCT(芯洲科技) |
4000
|
宽输入范围:4.2V-60V,高达1A的连续输出电流,0.8V±1%反馈参考电压,集成220mΩ高压侧MOSFET,低静态电流为100uA,轻负载下的脉冲跳过模式(PSM),最小接通时间100ns,内置4ms软启动时间,简易的内部补偿,可调频率100KHz至1.2MHz,UV 和 OV 功率输出,外部时钟同步,可编程输入电压欠压锁定保护(UVLO)阈值和滞后的精确启用阈值,低压差模式操作,可衍生逆变电压调节器,过压和过热保护
宽输入范围:4.2V-60V,高达1A的连续输出电流,0.8V±1%反馈参考电压,集成220mΩ高压侧MOSFET,低静态电流为100uA,轻负载下的脉冲跳过模式(PSM),最小接通时间100ns,内置4ms软启动时间,简易的内部补偿,可调频率100KHz至1.2MHz,UV 和 OV 功率输出,外部时钟同步,可编程输入电压欠压锁定保护(UVLO)阈值和滞后的精确启用阈值,低压差模式操作,可衍生逆变电压调节器,过压和过热保护
封装:ESOP-8
|
最小起订量:1
倍数:1 |
1+
¥▩😇🚊😇⬻
100+
¥▩▩🚊😇💅
500+
¥▩🌟🚊💅💅
1000+
¥▩🌟🚊🍣
|
大陆:7-10 |
|
|
SCT2622STER
|
SCT(芯洲科技) |
4000
|
宽输入范围:4.2V-60V,高达2A的连续输出电流,0.8V±1%反馈参考电压,集成220mΩ高压侧MOSFET,低静态电流为185uA,轻负载下的脉冲跳过模式(PSM),最小接通时间100ns,内置4ms软启动时间,简易环路补偿,可调频率100KHz至1.2MHz,UV 和 OV 功率输出,外部时钟同步,可编程输入电压欠压锁定保护(UVLO)阈值和滞后的精确启用阈值,低压差模式操作,可衍生逆变电压调节器,过压和过热保护
宽输入范围:4.2V-60V,高达2A的连续输出电流,0.8V±1%反馈参考电压,集成220mΩ高压侧MOSFET,低静态电流为185uA,轻负载下的脉冲跳过模式(PSM),最小接通时间100ns,内置4ms软启动时间,简易环路补偿,可调频率100KHz至1.2MHz,UV 和 OV 功率输出,外部时钟同步,可编程输入电压欠压锁定保护(UVLO)阈值和滞后的精确启用阈值,低压差模式操作,可衍生逆变电压调节器,过压和过热保护
封装:ESOP-8
|
最小起订量:1
倍数:1 |
1+
¥▩😇🚊😇⬻
100+
¥❍🚊💅▩
500+
¥❍🚊⥺🍣
1000+
¥❍🚊❍😇
|
大陆:7-10 |
|
|
SCT2A25STER
|
SCT(芯洲科技) |
4000
|
5.5V-100V 输入电压范围, 最大输出电压:30V, 2A 连续输出电流, 4A峰值电流限制, 1.2V ±1% 反馈电压, 集成500mΩ 高侧功率 MOSFETs, 140uA静态电流, 恒定导通时间控制模式, 4ms 内置软启动时间, 300KHz 固定开关频率, 可编程输入电压欠压锁定保护(UVLO)阈值和滞后的精确启用阈值, 逐周期电流限制, 输出过压保护, 过温保护
5.5V-100V 输入电压范围, 最大输出电压:30V, 2A 连续输出电流, 4A峰值电流限制, 1.2V ±1% 反馈电压, 集成500mΩ 高侧功率 MOSFETs, 140uA静态电流, 恒定导通时间控制模式, 4ms 内置软启动时间, 300KHz 固定开关频率, 可编程输入电压欠压锁定保护(UVLO)阈值和滞后的精确启用阈值, 逐周期电流限制, 输出过压保护, 过温保护
封装:ESOP-8
|
最小起订量:1
倍数:1 |
1+
¥▩⥺🚊🌟
100+
¥▩▩🚊▩❍
500+
¥▩🌟🚊◸❍
1000+
¥▩🌟🚊⥺😇
|
大陆:7-10 |
|
|
SCT51240TWBR
|
SCT(芯洲科技) |
3000
|
4.5-24V宽供电电压, 4A 峰值驱动拉电流和灌电流, 支持两种输入模式:正向输入、反向输入, 低至-5V负压输入, 12ns传输延迟, 快速上升下降时间(典型值9ns上升时间,6ns下降时间), 38uA静态功耗, 输入悬空时输入保持低电平, 170°C过热保护
4.5-24V宽供电电压, 4A 峰值驱动拉电流和灌电流, 支持两种输入模式:正向输入、反向输入, 低至-5V负压输入, 12ns传输延迟, 快速上升下降时间(典型值9ns上升时间,6ns下降时间), 38uA静态功耗, 输入悬空时输入保持低电平, 170°C过热保护
封装:TSOT23-5
|
最小起订量:1
倍数:1 |
1+
¥◸🚊◸😇
100+
¥▩🚊⬻⬻
500+
¥▩🚊⥺😇
1000+
¥▩🚊❍⥺
|
大陆:7-10 |
|
|
SCT52241STDR
|
SCT(芯洲科技) |
4000
|
4.5-24V宽供电电压, 4A 峰值驱动拉电流和灌电流, 低至-5V负压输入, 支持TTL低压逻辑输入, 13ns传输延迟, 快速上升下降时间(典型值8ns), 双通道1ns典型值延迟匹配时间, 55uA静态功耗, 输入悬空时输入保持低电平, 单个通道独立使能, 170°C过热保护
4.5-24V宽供电电压, 4A 峰值驱动拉电流和灌电流, 低至-5V负压输入, 支持TTL低压逻辑输入, 13ns传输延迟, 快速上升下降时间(典型值8ns), 双通道1ns典型值延迟匹配时间, 55uA静态功耗, 输入悬空时输入保持低电平, 单个通道独立使能, 170°C过热保护
封装:SOP-8
|
最小起订量:1
倍数:1 |
1+
¥◸🚊▩😇
100+
¥😇🚊💅
500+
¥😇🚊◸⬻
1000+
¥😇🚊⬻💅
|
大陆:7-10 |
|
|
SCT52242STDR
|
SCT(芯洲科技) |
4000
|
4.5-24V宽供电电压, 4A 峰值驱动拉电流和灌电流, 双通道并联输出,增强驱动能力, 低至-5V负压输入, 支持TTL低压逻辑输入, 13ns传输延迟, 快速上升下降时间(典型值8ns), 双通道1ns典型值延迟匹配时间, 55uA静态功耗, 输入悬空时输入保持低电平, 每路输出有独立的使能控制, 170°C过热保护
4.5-24V宽供电电压, 4A 峰值驱动拉电流和灌电流, 双通道并联输出,增强驱动能力, 低至-5V负压输入, 支持TTL低压逻辑输入, 13ns传输延迟, 快速上升下降时间(典型值8ns), 双通道1ns典型值延迟匹配时间, 55uA静态功耗, 输入悬空时输入保持低电平, 每路输出有独立的使能控制, 170°C过热保护
封装:SOP-8
|
最小起订量:2
倍数:1 |
1+
¥⬻🚊😇❍
100+
¥😇🚊❍⬻
500+
¥😇🚊😇❍
1000+
¥😇🚊🤛🍣
|
大陆:7-10 |
|
|
SCT63140FMAR
|
SCT(芯洲科技) |
5000
|
宽范围4V-15V输入电压, 支持15W功率输出, 集成4个功率MOSFET的全桥,MOSFET管导通电阻13-mΩ, 集成5V固定输出,带载能力100mA的低压差线性稳压器(LDO), 优化抗EMI设计, 内置3.3V输出,带载能力100mA的低压差线性稳定器(LDO), 集成无损±2%精度的全桥电流检测,可用于异物检测(FOD)和电流解调功能, PWM兼容3.3V和5V逻辑信号输入, 输入欠压保护, 过流保护, 过温保护
宽范围4V-15V输入电压, 支持15W功率输出, 集成4个功率MOSFET的全桥,MOSFET管导通电阻13-mΩ, 集成5V固定输出,带载能力100mA的低压差线性稳压器(LDO), 优化抗EMI设计, 内置3.3V输出,带载能力100mA的低压差线性稳定器(LDO), 集成无损±2%精度的全桥电流检测,可用于异物检测(FOD)和电流解调功能, PWM兼容3.3V和5V逻辑信号输入, 输入欠压保护, 过流保护, 过温保护
封装:QFN-15
|
最小起订量:3
倍数:1 |
1+
¥❍🚊⥺🤛
100+
¥🤛🚊⥺🤛
500+
¥🤛🚊❍😇
1000+
¥🤛🚊😇💅
|
大陆:7-10 |
|